Справочник MOSFET. MCAC75N02

 

MCAC75N02 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MCAC75N02
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 33 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 87 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 372 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0048 Ohm
   Тип корпуса: DFN5060
 

 Аналог (замена) для MCAC75N02

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MCAC75N02 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1537K  mcc
 mcac75n02.pdf pdf_icon

MCAC75N02

MCAC75N02Electrical Characteristics @ 25C (Unless Otherwise Specified)Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max UnitStatic CharacteristicsV(BR)DSS VGS=0V, ID=250ADrain-Source Breakdown Voltage 20 VIGSS VDS=0V, VGS =10VGate-Source Leakage Current 100 nAIDSS VDS=16V, VGS=0VZero Gate Voltage Drain Current 1 AVGS(th) VDS=VGS, ID=250AGate-Threshold Voltage 0.3

 0.1. Size:1537K  1
 mcac75n02-tp.pdf pdf_icon

MCAC75N02

MCAC75N02Electrical Characteristics @ 25C (Unless Otherwise Specified)Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max UnitStatic CharacteristicsV(BR)DSS VGS=0V, ID=250ADrain-Source Breakdown Voltage 20 VIGSS VDS=0V, VGS =10VGate-Source Leakage Current 100 nAIDSS VDS=16V, VGS=0VZero Gate Voltage Drain Current 1 AVGS(th) VDS=VGS, ID=250AGate-Threshold Voltage 0.3

Другие MOSFET... MCAC10H03 , MCAC16N03 , MCAC20N15 , MCAC30N06Y , MCAC40N10YA , MCAC50N06Y , MCAC50N10Y , MCAC60N08Y , IRF840 , MCAC80N045Y , MCB160N10Y , MCG04N10A , MCG10P03 , MCG16N15 , MCG20N08 , MCG30N03 , MCG30N03A .

 

 
Back to Top

 


 
.