MCAC80N045Y - описание и поиск аналогов

 

MCAC80N045Y. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MCAC80N045Y

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 45 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 754 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0039 Ohm

Тип корпуса: DFN5060

Аналог (замена) для MCAC80N045Y

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MCAC80N045Y даташит

 ..1. Size:869K  mcc
 mcac80n045y.pdf pdf_icon

MCAC80N045Y

MCAC80N045Y Electrical Characteristics @ 25 C (Unless Otherwise Specified) Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max Unit Static Characteristics V(BR)DSS VGS=0V, ID=250 A Drain-Source Breakdown Voltage 45 V IGSS VDS=0V, VGS = 20V Gate-Source Leakage Current 100 nA VDS=32V, VGS=0V, TJ=25 C 1 IDSS Zero Gate Voltage Drain Current A VDS=32V, VGS=0V, TJ=85 C 30 VGS(t

 0.1. Size:869K  1
 mcac80n045y-tp.pdf pdf_icon

MCAC80N045Y

MCAC80N045Y Electrical Characteristics @ 25 C (Unless Otherwise Specified) Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max Unit Static Characteristics V(BR)DSS VGS=0V, ID=250 A Drain-Source Breakdown Voltage 45 V IGSS VDS=0V, VGS = 20V Gate-Source Leakage Current 100 nA VDS=32V, VGS=0V, TJ=25 C 1 IDSS Zero Gate Voltage Drain Current A VDS=32V, VGS=0V, TJ=85 C 30 VGS(t

Другие MOSFET... MCAC16N03 , MCAC20N15 , MCAC30N06Y , MCAC40N10YA , MCAC50N06Y , MCAC50N10Y , MCAC60N08Y , MCAC75N02 , 20N60 , MCB160N10Y , MCG04N10A , MCG10P03 , MCG16N15 , MCG20N08 , MCG30N03 , MCG30N03A , MCG40N03 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.