MCG10P03 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MCG10P03  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm

Тип корпуса: DFN3030

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MCG10P03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MCG10P03 даташит

 ..1. Size:946K  mcc
 mcg10p03.pdf pdf_icon

MCG10P03

MCG10P03 Features High Density Cell Desihn for Ultra Low RDS(on) Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 P-CHANNEL Halogen Free. Green Device (Note 1) MOSFET Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHS Compliant. See Ordering Information) Maximum Ratings

 0.1. Size:946K  1
 mcg10p03-tp.pdf pdf_icon

MCG10P03

MCG10P03 Features High Density Cell Desihn for Ultra Low RDS(on) Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 P-CHANNEL Halogen Free. Green Device (Note 1) MOSFET Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHS Compliant. See Ordering Information) Maximum Ratings

Другие IGBT... MCAC40N10YA, MCAC50N06Y, MCAC50N10Y, MCAC60N08Y, MCAC75N02, MCAC80N045Y, MCB160N10Y, MCG04N10A, IRF540N, MCG16N15, MCG20N08, MCG30N03, MCG30N03A, MCG40N03, MCG50N03, MCMN2012, MCP07N65