Справочник MOSFET. MCG10P03

 

MCG10P03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: MCG10P03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 27 nC

Время нарастания (tr): 15 ns

Выходная емкость (Cd): 260 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.026 Ohm

Тип корпуса: DFN3030

Аналог (замена) для MCG10P03

 

 

MCG10P03 Datasheet (PDF)

0.1. mcg10p03.pdf Size:946K _mcc

MCG10P03
MCG10P03

MCG10P03Features High Density Cell Desihn for Ultra Low RDS(on) Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 P-CHANNEL Halogen Free. Green Device (Note 1)MOSFET Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant. See Ordering Information)Maximum Ratings

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top