Справочник MOSFET. STP33N10FI

 

STP33N10FI Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP33N10FI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 55 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: ISOWATT220
 

 Аналог (замена) для STP33N10FI

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP33N10FI Datasheet (PDF)

 6.1. Size:399K  st
 stp33n10.pdf pdf_icon

STP33N10FI

STP33N10STP33N10FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP33N10 100 V

 6.2. Size:199K  st
 stp33n10-.pdf pdf_icon

STP33N10FI

STP33N10STP33N10FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTP33N10 100 V

 6.3. Size:846K  cn vbsemi
 stp33n10.pdf pdf_icon

STP33N10FI

STP33N10www.VBsemi.twN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A)Available 175 C Junction Temperature0.032 at VGS = 10 V45RoHS*100 Low Thermal Resistance Package0.035 at VGS = 4.5 V40COMPLIANTDTO-220AB GSG D STop ViewN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, un

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STP30N05FI , STP30N06 , STP30N06FI , STP32N05L , STP32N05LFI , STP32N06L , STP32N06LFI , STP33N10 , IRFB31N20D , STP36N05L , STP36N05LFI , STP36N06 , STP36N06FI , STP36N06L , STP36N06LFI , STP38N06 , STP3N100 .

History: NTZD5110N

 

 
Back to Top

 


 
.