STP33N10FI - описание и поиск аналогов

 

STP33N10FI. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP33N10FI

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm

Тип корпуса: ISOWATT220

Аналог (замена) для STP33N10FI

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP33N10FI даташит

 6.1. Size:399K  st
 stp33n10.pdf pdf_icon

STP33N10FI

STP33N10 STP33N10FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP33N10 100 V

 6.2. Size:199K  st
 stp33n10-.pdf pdf_icon

STP33N10FI

STP33N10 STP33N10FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STP33N10 100 V

 6.3. Size:846K  cn vbsemi
 stp33n10.pdf pdf_icon

STP33N10FI

STP33N10 www.VBsemi.tw N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETS V(BR)DSS (V) rDS(on) ( )ID (A) Available 175 C Junction Temperature 0.032 at VGS = 10 V 45 RoHS* 100 Low Thermal Resistance Package 0.035 at VGS = 4.5 V 40 COMPLIANT D TO-220AB G S G D S Top View N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, un

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STP30N05FI , STP30N06 , STP30N06FI , STP32N05L , STP32N05LFI , STP32N06L , STP32N06LFI , STP33N10 , IRF2807 , STP36N05L , STP36N05LFI , STP36N06 , STP36N06FI , STP36N06L , STP36N06LFI , STP38N06 , STP3N100 .

History: SSW4N80A

 

 

 


 
↑ Back to Top
.