Справочник MOSFET. STP36N05LFI

 

STP36N05LFI Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP36N05LFI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 35 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 550 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: ISOWATT220
 

 Аналог (замена) для STP36N05LFI

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP36N05LFI Datasheet (PDF)

 5.1. Size:396K  st
 stp36n05l.pdf pdf_icon

STP36N05LFI

STP36N05LSTP36N05LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP36N05L 50 V

 6.1. Size:204K  st
 stp36n05.pdf pdf_icon

STP36N05LFI

STP36N05LSTP36N05LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTP36N05L 50 V

 7.1. Size:414K  st
 stp36n06.pdf pdf_icon

STP36N05LFI

STP36N06STP36N06FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP36N06 60 V

 7.2. Size:401K  st
 stp36n06l.pdf pdf_icon

STP36N05LFI

STP36N06LSTP36N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP36N05L 60 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STP30N06FI , STP32N05L , STP32N05LFI , STP32N06L , STP32N06LFI , STP33N10 , STP33N10FI , STP36N05L , AON6380 , STP36N06 , STP36N06FI , STP36N06L , STP36N06LFI , STP38N06 , STP3N100 , STP3N100FI , STP3N100XI .

 

 
Back to Top

 


 
.