STP36N05LFI Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STP36N05LFI
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 550 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
Тип корпуса: ISOWATT220
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
STP36N05LFI Datasheet (PDF)
stp36n05l.pdf
STP36N05LSTP36N05LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP36N05L 50 V
stp36n05.pdf
STP36N05LSTP36N05LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTP36N05L 50 V
stp36n06.pdf
STP36N06STP36N06FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP36N06 60 V
stp36n06l.pdf
STP36N06LSTP36N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP36N05L 60 V
Другие MOSFET... STP30N06FI , STP32N05L , STP32N05LFI , STP32N06L , STP32N06LFI , STP33N10 , STP33N10FI , STP36N05L , MMIS60R580P , STP36N06 , STP36N06FI , STP36N06L , STP36N06LFI , STP38N06 , STP3N100 , STP3N100FI , STP3N100XI .
History: 2N6756JANTX | RUS100N02 | STP53N06 | HY050N08B | IPB023N04N | 2SJ377 | AP9435GJ-HF
History: 2N6756JANTX | RUS100N02 | STP53N06 | HY050N08B | IPB023N04N | 2SJ377 | AP9435GJ-HF
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc1222 replacement | 2sa725 | c5242 transistor | 2sa726 replacement | a1941 datasheet | hrf3205 | c2837 datasheet | 2n414