Справочник MOSFET. STP36N06FI

 

STP36N06FI MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STP36N06FI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 21 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 42 nC
   Время нарастания (tr): 280 ns
   Выходная емкость (Cd): 480 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.04 Ohm
   Тип корпуса: ISOWATT220

 Аналог (замена) для STP36N06FI

 

 

STP36N06FI Datasheet (PDF)

 6.1. Size:414K  st
stp36n06.pdf

STP36N06FI
STP36N06FI

STP36N06STP36N06FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP36N06 60 V

 6.2. Size:401K  st
stp36n06l.pdf

STP36N06FI
STP36N06FI

STP36N06LSTP36N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP36N05L 60 V

 7.1. Size:396K  st
stp36n05l.pdf

STP36N06FI
STP36N06FI

STP36N05LSTP36N05LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP36N05L 50 V

 7.2. Size:204K  st
stp36n05.pdf

STP36N06FI
STP36N06FI

STP36N05LSTP36N05LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTP36N05L 50 V

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top