SI3402 - аналоги и даташиты транзистора

 

SI3402 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SI3402
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 54.5 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для SI3402

 

SI3402 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:853K  mcc
si3402.pdfpdf_icon

SI3402

SI3402 Features Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 Halogen Free. Green Device (Note 1) N-CHANNEL Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHS Compliant. See Ordering Information) MOSFET Maximum Ratings Operating Junction Temperature Range -55 C to +150 C Storage Temperature Range -55 C to +150 C

 ..2. Size:3423K  cn szxunrui
si3402.pdfpdf_icon

SI3402

SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS SI3402 N-Channel 30-V(D-S) MOSFET SI 3402 V(BR)DSS RDS(on)MAX ID SOT-23 0.070 @ 10V 3 1.GATE 30V 4.0A 0.075 @ 4.5V 2.SOURCE 3.DRAIN 1 0.105 @ 2.5V 2 General FEATURE Equivalent Circuit MARKING TrenchFET Power MOSFET Lead free product is acquired Surface mount package A22TF w APPLICATION Load Switch for Portable Devices

 9.1. Size:192K  vishay
si3407dv.pdfpdf_icon

SI3402

Si3407DV Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.0240 at VGS = - 4.5 V - 8.0a TrenchFET Power MOSFET - 20 21 nC PWM Optimized 0.0372 at VGS = - 2.5 V - 8.0a 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/9

 9.2. Size:98K  vishay
si3403dv.pdfpdf_icon

SI3402

Si3403DV Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.07 at VGS = - 4.5 V - 5 - 20 4.5 nC PWM Optimized, Low Qgd/Qgs Ratio 0.105 at VGS = - 2.5 V - 4.1 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Load Switc

Другие MOSFET... SI2312B , SI2324A , SI3134KDW , SI3134KL3 , SI3139KE , SI3139KL3 , SI3400A , SI3401A , 4N60 , SI3407 , SI3415A , SI3415B , SI3420A , SIL03N10 , SIL05N06 , SIL2300 , SIL2301 .

 

 
Back to Top

 


 
.