STP36N06L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STP36N06L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 550 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
Тип корпуса: TO220
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
STP36N06L Datasheet (PDF)
stp36n06l.pdf

STP36N06LSTP36N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP36N05L 60 V
stp36n06.pdf

STP36N06STP36N06FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP36N06 60 V
stp36n05l.pdf

STP36N05LSTP36N05LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP36N05L 50 V
stp36n05.pdf

STP36N05LSTP36N05LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTP36N05L 50 V
Другие MOSFET... STP32N06L , STP32N06LFI , STP33N10 , STP33N10FI , STP36N05L , STP36N05LFI , STP36N06 , STP36N06FI , 75N75 , STP36N06LFI , STP38N06 , STP3N100 , STP3N100FI , STP3N100XI , STP3N50XI , STP3N60FI , STP3N60XI .
History: APL602J | TK3A60DA | BSS214NW
History: APL602J | TK3A60DA | BSS214NW



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sa726 replacement | a1941 datasheet | hrf3205 | c2837 datasheet | 2n414 | c3998 | c4468 datasheet | 2sc2603