FCD600N65S3R0 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FCD600N65S3R0
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 54 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 9 ns
Выходная емкость (Cd): 10 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.6 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для FCD600N65S3R0
FCD600N65S3R0 Datasheet (PDF)
fcd600n65s3r0.pdf
FCD600N65S3R0MOSFET Power, N-Channel,SUPERFET III, Easy Drive650 V, 6 A, 600 mWDescriptionwww.onsemi.comSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargebalance technology for outstanding low on-resistance and lower gateVDSS RDS(ON) MAX ID MAXcharge performance. This advanced technology is tailore
fcd600n60z.pdf
November 2013FCD600N60ZN-Channel SuperFET II MOSFET600 V, 7.4 A, 600 mFeatures Description 650 V @ TJ = 150C SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductors brand-newhigh voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Typ. RDS(on) = 510 mcharge balance technology for outstanding low on-resistance Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 20 nC)and lo
fcd600n60z.pdf
Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: 11NM70L-TN3-R
