Справочник MOSFET. FCMT125N65S3

 

FCMT125N65S3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FCMT125N65S3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 181 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 49 nC
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 44 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm
   Тип корпуса: PQFN4-8X8-2P

 Аналог (замена) для FCMT125N65S3

 

 

FCMT125N65S3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:303K  onsemi
 fcmt125n65s3.pdf

FCMT125N65S3 FCMT125N65S3

MOSFET Power,N-Channel, SUPERFET) III,Easy-Drive650 V, 24 A, 125 mWFCMT125N65S3www.onsemi.comGeneral DescriptionSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargebalance technology for outstanding low on-resistance and lower gateVDSS RDS(ON) MAX ID MAXcharge performance. This advanced technology

 9.1. Size:937K  fairchild semi
 fcmt199n60.pdf

FCMT125N65S3 FCMT125N65S3

August 2014FCMT199N60N-Channel SuperFET II MOSFET600 V, 20.2 A, 199 mFeatures Description 650 V @ TJ = 150C SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductors brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing RDS(on) = 170 m (Typ.)charge balance technology for outstanding low on-resistance Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 57 nC) a

 9.2. Size:355K  onsemi
 fcmt180n65s3.pdf

FCMT125N65S3 FCMT125N65S3

MOSFET Power, N-Channel,SUPERFET III, Easy Drive650 V, 17 A, 180 mWFCMT180N65S3DescriptionSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highwww.onsemi.comvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargebalance technology for outstanding low on-resistance and lower gatecharge performance. This advanced technology is tailored to minimize VDSS RDS(ON

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top