FDB0105N407L - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

FDB0105N407L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: FDB0105N407L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 460 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 208 nC
   trⓘ - Время нарастания: 69 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5335 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0008 Ohm
   Тип корпуса: D2-PAK-7L

Аналог (замена) для FDB0105N407L

FDB0105N407L Datasheet (PDF)

..1. Size:392K onsemi
fdb0105n407l.pdf

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

9.1. Size:1422K fairchild semi
fdb016n04al7.pdf

December 2010FDB016N04AL7 N-Channel PowerTrench MOSFET40V, 306A, 1.6mWFeatures Description RDS(on) = 1.16mW ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 80A This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semicon-ductors adcanced PowerTrench process that has been espe- Fast Switching Speedcially tailored to minimize the on-state resistance and yet Low Gate Chargemaintain superio

9.2. Size:402K onsemi
fdb0170n607l.pdf