FDB86366-F085 - аналоги и даташиты транзистора

 

FDB86366-F085 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FDB86366-F085
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 176 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 76 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1010 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для FDB86366-F085

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDB86366-F085 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:436K  onsemi
 fdb86366-f085.pdf pdf_icon

FDB86366-F085

FDB86366-F085N-Channel PowerTrench MOSFET 80 V, 110 A, 3.6 mFeatures Typical RDS(on) = 2.8 m at VGS = 10V, ID = 80 ADD Typical Qg(tot) = 86 nC at VGS = 10V, ID = 80 A UIS Capability RoHS Compliant Qualified to AEC Q101GApplicationsGS Automotive Engine Control PowerTrain Management TO-263SFDB SERIES Solenoid and Motor Drivers Integrated Starter/A

 6.1. Size:465K  fairchild semi
 fdb86366 f085.pdf pdf_icon

FDB86366-F085

December 2014FDB86366_F085N-Channel PowerTrench MOSFET80 V, 110 A, 3.6 m Features Typical RDS(on) = 2.8 m at VGS = 10V, ID = 80 A DD Typical Qg(tot) = 86 nC at VGS = 10V, ID = 80 A UIS Capability RoHS Compliant Qualified to AEC Q101GApplications GS Automotive Engine ControlTO-263S PowerTrain ManagementFDB SERIES Solenoid and Motor Drivers In

 7.1. Size:365K  fairchild semi
 fdb86360 f085.pdf pdf_icon

FDB86366-F085

January 2014FDB86360_F085N-Channel Power Trench MOSFETDD80V, 110A, 1.8m Features Typ rDS(on) = 1.5m at VGS = 10V, ID = 80A G Typ Qg(tot) = 207nC at VGS = 10V, ID = 80AGS UIS Capability RoHS CompliantTO-263S Qualified to AEC Q101FDB SERIESApplications Forcurrentpackagedrawing,pleaserefertotheFairchildwebsiteatwww.fairchildsemi.c

 7.2. Size:486K  fairchild semi
 fdb86363 f085.pdf pdf_icon

FDB86366-F085

June 2014FDB86363_F085N-Channel PowerTrench MOSFETDD80 V, 110 A, 2.4 m Features Typical RDS(on) = 2.0 m at VGS = 10V, ID = 80 A G Typical Qg(tot) = 131 nC at VGS = 10V, ID = 80 A UIS Capability GS RoHS CompliantTO-263S Qualified to AEC Q101FDB SERIESApplications Forcurrentpackagedrawing,pleaserefertotheFairchild Automotive Engine Co

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FDB2532-F085 , FDB2552_F085 , FDB28N30 , FDB3632-F085 , FDB3652-F085 , FDB3672-F085 , FDB86360-F085 , FDB86363-F085 , IRFP450 , FDB86563-F085 , FDB86566-F085 , FDB86569-F085 , FDB9403-F085 , FDB9403L-F085 , FDB9406-F085 , FDB9406L-F085 , FDB9409-F085 .

History: FIR20N65AFG | SWD7N65DD

 

 
Back to Top

 


 
.