FDC642P-F085 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FDC642P-F085
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 6.9 nC
Время нарастания (tr): 5.5 ns
Выходная емкость (Cd): 160 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.065 Ohm
Тип корпуса: SSOT6
Аналог (замена) для FDC642P-F085
FDC642P-F085 Datasheet (PDF)
fdc642p-f085 fdc642p-f085p.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
MOSFET P-Channel,POWERTRENCH-20 V, -4 A, 100 mWFDC642P-F085,FDC642P-F085Pwww.onsemi.comFeatures Typ RDS(on) = 52.5 mW at VGS = -4.5 V, ID = -4 A Typ RDS(on) = 75.3 mW at VGS = -2.5 V, ID = -3.2 A Fast Switching Speed Low Gate Charge (6.9 nC Typical)TSOT23 6-Lead High Performance Trench Technology for Extremely Low RDS(on)CASE 419BL SUPERSOTt-6 P
fdc642p f085.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
June 2009FDC642P_F085P-Channel PowerTrench MOSFET-20V, -4A, 100m Applications Features Load switch Typ rDS(on) = 52.5m at VGS = -4.5V, ID = -4A Battery protection Typ rDS(on) = 75.3m at VGS = -2.5V, ID = -3.2A Power management Fast switching speed Low gate charge(6.9nC typical) High performance trench technology for extremely low rDS(on) SuperSOTTM-6
fdc642p.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
January 2010FDC642PSingle P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET -20 V, -4.0 A, 65 mFeatures General Description Max rDS(on) = 65 m at VGS = -4.5 V, ID = -4.0 AThis P-Channel 2.5V specified MOSFET is produced using Fairchilds advanced PowerTrench process that has been Max rDS(on) = 100 m at VGS = -2.5 V, ID = -3.2 Aespecially tailored to minimize on-state
fdc642p.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETFDC642P (KDC642P)( )SOT-23-6 Unit:mm+0.10.4 -0.16 5 4 Features VDS (V) =-20V ID =-4 A RDS(ON) 65m (VGS =-4.5V)2 31+0.02 RDS(ON) 100m (VGS =-2.5V) 0.15 -0.02+0.01-0.01+0.2-0.1D D61D D52G S43 Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Vol
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
![FDC642P-F085](https://alltransistors.com/images/us.png)
![FDC642P-F085](https://alltransistors.com/images/es.png)
![FDC642P-F085](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C