Справочник MOSFET. FDC642P-F085P

 

FDC642P-F085P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FDC642P-F085P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.2 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 6.9 nC
   Время нарастания (tr): 5.5 ns
   Выходная емкость (Cd): 160 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.065 Ohm
   Тип корпуса: SSOT6

 Аналог (замена) для FDC642P-F085P

 

 

FDC642P-F085P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1310K  onsemi
 fdc642p-f085 fdc642p-f085p.pdf

FDC642P-F085P FDC642P-F085P

MOSFET P-Channel,POWERTRENCH-20 V, -4 A, 100 mWFDC642P-F085,FDC642P-F085Pwww.onsemi.comFeatures Typ RDS(on) = 52.5 mW at VGS = -4.5 V, ID = -4 A Typ RDS(on) = 75.3 mW at VGS = -2.5 V, ID = -3.2 A Fast Switching Speed Low Gate Charge (6.9 nC Typical)TSOT23 6-Lead High Performance Trench Technology for Extremely Low RDS(on)CASE 419BL SUPERSOTt-6 P

 7.1. Size:241K  fairchild semi
 fdc642p f085.pdf

FDC642P-F085P FDC642P-F085P

June 2009FDC642P_F085P-Channel PowerTrench MOSFET-20V, -4A, 100m Applications Features Load switch Typ rDS(on) = 52.5m at VGS = -4.5V, ID = -4A Battery protection Typ rDS(on) = 75.3m at VGS = -2.5V, ID = -3.2A Power management Fast switching speed Low gate charge(6.9nC typical) High performance trench technology for extremely low rDS(on) SuperSOTTM-6

 7.2. Size:266K  fairchild semi
 fdc642p.pdf

FDC642P-F085P FDC642P-F085P

January 2010FDC642PSingle P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET -20 V, -4.0 A, 65 mFeatures General Description Max rDS(on) = 65 m at VGS = -4.5 V, ID = -4.0 AThis P-Channel 2.5V specified MOSFET is produced using Fairchilds advanced PowerTrench process that has been Max rDS(on) = 100 m at VGS = -2.5 V, ID = -3.2 Aespecially tailored to minimize on-state

 7.3. Size:1112K  onsemi
 fdc642p.pdf

FDC642P-F085P FDC642P-F085P

 7.4. Size:1570K  kexin
 fdc642p.pdf

FDC642P-F085P FDC642P-F085P

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETFDC642P (KDC642P)( )SOT-23-6 Unit:mm+0.10.4 -0.16 5 4 Features VDS (V) =-20V ID =-4 A RDS(ON) 65m (VGS =-4.5V)2 31+0.02 RDS(ON) 100m (VGS =-2.5V) 0.15 -0.02+0.01-0.01+0.2-0.1D D61D D52G S43 Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Vol

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top