Справочник MOSFET. STP3NA80

 

STP3NA80 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STP3NA80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.75 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 35 nC
   trⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 9 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для STP3NA80

 

 

STP3NA80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:383K  st
 stp3na80.pdf

STP3NA80 STP3NA80

STP3NA80STP3NA80FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP3NA80 800 V

 8.1. Size:59K  st
 stp3na90-.pdf

STP3NA80 STP3NA80

STP3NA90STP3NA90FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(o n) DSTP3NA90 900 V

 8.2. Size:436K  st
 stp3na60.pdf

STP3NA80 STP3NA80

STP3NA60STP3NA60FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP3NA60 600 V

 8.3. Size:196K  st
 stp3na50.pdf

STP3NA80 STP3NA80

STP3NA50STP3NA50FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTP3NA50 500 V

 8.4. Size:111K  st
 stp3na90.pdf

STP3NA80 STP3NA80

STP3NA90STP3NA90FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTP3NA90 900 V

 8.5. Size:365K  st
 stp3na100.pdf

STP3NA80 STP3NA80

STP3NA100STP3NA100FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP3NA100 1000 V

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top