Справочник MOSFET. STP3NA80

 

STP3NA80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP3NA80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.75 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 35 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 9 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для STP3NA80

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP3NA80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:383K  st
 stp3na80.pdf pdf_icon

STP3NA80

STP3NA80STP3NA80FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP3NA80 800 V

 8.1. Size:59K  st
 stp3na90-.pdf pdf_icon

STP3NA80

STP3NA90STP3NA90FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(o n) DSTP3NA90 900 V

 8.2. Size:436K  st
 stp3na60.pdf pdf_icon

STP3NA80

STP3NA60STP3NA60FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP3NA60 600 V

 8.3. Size:196K  st
 stp3na50.pdf pdf_icon

STP3NA80

STP3NA50STP3NA50FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTP3NA50 500 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STP3N100XI , STP3N50XI , STP3N60FI , STP3N60XI , STP3N80XI , STP3N90 , STP3N90FI , STP3NA50FI , EMB04N03H , STP3NA80FI , STP40N05 , STP40N05FI , STP40N10 , STP40N10FI , STP4N100 , STP4N100FI , STP4N100XI .

 

 
Back to Top

 


 
.