Справочник MOSFET. FDD3672_F085

 

FDD3672_F085 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDD3672_F085
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 144 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 24 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: TO252AA
 

 Аналог (замена) для FDD3672_F085

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDD3672_F085 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:111K  fairchild semi
 fdd3672 f085.pdf pdf_icon

FDD3672_F085

March 2011FDD3672_F085N-Channel UltraFET Trench MOSFET 100V, 44A, 28m ApplicationsFeatures DC/DC converters and Off-Line UPS Typ rDS(on) = 24m at VGS = 10V, ID = 44A Distributed Power Architectures and VRMs Typ Qg(10) = 24nC at VGS = 10V Primary Switch for 24V and 48V Systems Low Miller Charge Low Qrr Body Diode High Voltage Synchronous Rectifier Optimized efficie

 ..2. Size:111K  onsemi
 fdd3672 f085.pdf pdf_icon

FDD3672_F085

March 2011FDD3672_F085N-Channel UltraFET Trench MOSFET 100V, 44A, 28m ApplicationsFeatures DC/DC converters and Off-Line UPS Typ rDS(on) = 24m at VGS = 10V, ID = 44A Distributed Power Architectures and VRMs Typ Qg(10) = 24nC at VGS = 10V Primary Switch for 24V and 48V Systems Low Miller Charge Low Qrr Body Diode High Voltage Synchronous Rectifier Optimized efficie

 7.1. Size:268K  fairchild semi
 fdd3672.pdf pdf_icon

FDD3672_F085

March 2010FDD3672N-Channel UltraFET Trench MOSFET100V, 44A, 28mFeatures Applications rDS(ON) = 24m (Typ.), VGS = 10V, ID = 44A DC/DC converters and Off-Line UPS Qg(tot) = 24nC (Typ.), VGS = 10V Distributed Power Architectures and VRMs Low Miller Charge Primary Switch for 24V and 48V Systems Low Qrr Body Diode High Voltage Synchronous Rectif

 7.2. Size:1737K  onsemi
 fdd3672.pdf pdf_icon

FDD3672_F085

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FDC642P-F085 , FDC642P-F085P , FDD10AN06A0_F085 , FDD120AN15A0-F085 , FDD13AN06A0-F085 , FDD24AN06LA0_F085 , FDD2572_F085 , FDD26AN06A0_F085 , AO4468 , FDD3682-F085 , FDD4141-F085 , FDD4243-F085 , FDD4685-F085 , FDD5810-F085 , FDD5N50FTM-WS , FDD6N50TM-F085 , FDD8444L-F085 .

History: FDMS3006SDC | SW2N60A1 | AP3N3R3M | STU3N80K5 | 4N90L-TF3T-T

 

 
Back to Top

 


 
.