FDD9510L-F085 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FDD9510L-F085
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 16 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 50 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 28 nC
Время нарастания (tr): 21 ns
Выходная емкость (Cd): 785 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0135 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для FDD9510L-F085
FDD9510L-F085 Datasheet (PDF)
fdd9510l-f085.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
MOSFET - P-Channel LogicLevel PowerTrench)-40 V, 13.5 mW, -50 AFDD9510L-F085Features Typ RDS(on) = 11 mW at VGS = -10 V; ID = -50 Awww.onsemi.com Typ Qg(tot) = 28 nC at VGS = -10 V; ID = -50 A UIS CapabilityD Qualified to AEC Q101 These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantGSApplicationsDPAKTO-252 Automotive Engine ControlCASE 369AS
fdd9511l-f085.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
MOSFET - P-Channel,PowerTrench), Logic Level-40 V, -25 A, 21 mWFDD9511L-F085Featureswww.onsemi.com Typ rDS(on) = 17 mW at VGS = -10 V; ID = -25 A Typ Qg(tot) = 17 nC at VGS = -10 V; ID = -25 A UIS CapabilityD Qualified to AEC Q101G These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantSDPAKApplicationsTO-252 Automotive Engine Control CASE 369AS
fdd9507l-f085.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
FDD9507L-F085PChannel POWERTRENCH)MOSFET-40 V, -100 A, 4.4 mWFeatureswww.onsemi.com Typical RDS(on) = 3.3 mW at VGS = -10 V, ID = -80 A Typical Gg(tot) = 110 nC at VGS = -10 V, ID = -80 A UIS Capability VDSS RDS(ON) MAX ID MAX Qualified to AEC Q101-40 V 4.4 mW @ -10 V -100 A These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantDAppl
fdd9509l-f085.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
MOSFET - P-ChannelPowerTrench)-40 V, 7.5 mW, -90 AFDD9509L-F085Features Typ rDS(on) = 6.0 mW at VGS = -10 V; ID = -70 Awww.onsemi.com Typ Qg(tot) = 50 nC at VGS = -10 V; ID = -70 A UIS CapabilityD Qualified to AEC Q101 These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantGSApplicationsDPAKTO-252 Automotive Engine ControlCASE 369AS Powertrain
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
History: HSU4113