Справочник MOSFET. BUK6D38-30E

 

BUK6D38-30E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BUK6D38-30E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm
   Тип корпуса: SOT1220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK6D38-30E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:279K  nxp
 buk6d38-30e.pdf pdf_icon

BUK6D38-30E

BUK6D38-30E30 V, N-channel Trench MOSFET12 April 2019 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power DFN2020MD-6(SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Extended temperature range Tj = 175 C Side wettable flanks for optical solder insp

 7.1. Size:278K  nxp
 buk6d385-100e.pdf pdf_icon

BUK6D38-30E

BUK6D385-100E100 V, N-channel Trench MOSFET29 April 2019 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power DFN2020MD-6(SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Extended temperature range Tj = 175 C Side wettable flanks for optical solder i

 9.1. Size:494K  nxp
 buk6d210-60e.pdf pdf_icon

BUK6D38-30E

BUK6D210-60E60 V, N-channel Trench MOSFET17 April 2019 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power DFN2020MD-6(SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Extended temperature range Tj = 175 C Side wettable flanks for optical solder ins

 9.2. Size:280K  nxp
 buk6d230-80e.pdf pdf_icon

BUK6D38-30E

BUK6D230-80E80 V, N-channel Trench MOSFET29 April 2019 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power DFN2020MD-6(SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Extended temperature range Tj = 175 C Side wettable flanks for optical solder ins

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: BLF6G15L-250PBRN | MXP43P9AF | PSMN063-150D | 2N4860A | CEU11P20 | SSM72T02GH | FK25SM-6

 

 
Back to Top

 


 
.