Справочник MOSFET. BUK6D56-60E

 

BUK6D56-60E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BUK6D56-60E
   Маркировка: 4V
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.7 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 7.5 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 47 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.056 Ohm
   Тип корпуса: SOT1220
 

 Аналог (замена) для BUK6D56-60E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK6D56-60E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:284K  nxp
 buk6d56-60e.pdf pdf_icon

BUK6D56-60E

BUK6D56-60E60 V, N-channel Trench MOSFET3 April 2019 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power DFN2020MD-6(SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Extended temperature range Tj = 175 C Side wettable flanks for optical solder inspe

 9.1. Size:494K  nxp
 buk6d210-60e.pdf pdf_icon

BUK6D56-60E

BUK6D210-60E60 V, N-channel Trench MOSFET17 April 2019 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power DFN2020MD-6(SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Extended temperature range Tj = 175 C Side wettable flanks for optical solder ins

 9.2. Size:280K  nxp
 buk6d230-80e.pdf pdf_icon

BUK6D56-60E

BUK6D230-80E80 V, N-channel Trench MOSFET29 April 2019 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power DFN2020MD-6(SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Extended temperature range Tj = 175 C Side wettable flanks for optical solder ins

 9.3. Size:276K  nxp
 buk6d43-40p.pdf pdf_icon

BUK6D56-60E

BUK6D43-40P40 V, P-channel Trench MOSFET20 December 2017 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power DFN2020MD-6(SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Extended temperature range Tj = 175 Side wettable flanks for optical solder i

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: AON3419 | BUK6D210-60E

 

 
Back to Top

 


 
.