Справочник MOSFET. BUK6D81-80E

 

BUK6D81-80E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BUK6D81-80E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 43 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.081 Ohm
   Тип корпуса: SOT1220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK6D81-80E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:294K  nxp
 buk6d81-80e.pdf pdf_icon

BUK6D81-80E

BUK6D81-80E80 V, N-channel Trench MOSFET4 April 2019 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power DFN2020MD-6(SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Extended temperature range Tj = 175 C Side wettable flanks for optical solder inspe

 9.1. Size:494K  nxp
 buk6d210-60e.pdf pdf_icon

BUK6D81-80E

BUK6D210-60E60 V, N-channel Trench MOSFET17 April 2019 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power DFN2020MD-6(SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Extended temperature range Tj = 175 C Side wettable flanks for optical solder ins

 9.2. Size:280K  nxp
 buk6d230-80e.pdf pdf_icon

BUK6D81-80E

BUK6D230-80E80 V, N-channel Trench MOSFET29 April 2019 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power DFN2020MD-6(SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Extended temperature range Tj = 175 C Side wettable flanks for optical solder ins

 9.3. Size:276K  nxp
 buk6d43-40p.pdf pdf_icon

BUK6D81-80E

BUK6D43-40P40 V, P-channel Trench MOSFET20 December 2017 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power DFN2020MD-6(SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Extended temperature range Tj = 175 Side wettable flanks for optical solder i

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: P9006EVG | FDB070AN06A0 | CEM2401 | IRFS252 | IRFS142 | IRFU9222 | BUK7608-40B

 

 
Back to Top

 


 
.