2SK2109. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK2109

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 1.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: SC62

Аналог (замена) для 2SK2109

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK2109 даташит

 ..1. Size:38K  nec
 2sk2109.pdf pdf_icon

2SK2109

DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2SK2109 N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING The 2SK2109 is a N-channel MOS FET of a vertical type and PACKAGE DIMENSIONS (in mm) is a switching element that can be directly driven by the output of 4.5 0.1 an IC operating at 5 V. 1.5 0.1 1.6 0.2 This product has a low ON resistance and superb switching characteristics and is ide

 ..2. Size:672K  kexin
 2sk2109.pdf pdf_icon

2SK2109

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET 2SK2109 1.70 0.1 Features VDS (V) = 60V ID = 0.5A RDS(ON) 1 (VGS = 4V) 0.42 0.1 0.46 0.1 Drain (D) RDS(ON) 0.8 (VGS = 10V) Gate (G) Internal diode 1.Gate Gate protection 2.Drain diode 3.Source Source (S) Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 60 V

 8.1. Size:361K  toshiba
 2sk210.pdf pdf_icon

2SK2109

2SK210 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type 2SK210 FM Tuner Applications Unit mm VHF Band Amplifier Applications High power gain GPS = 24dB (typ.) (f = 100 MHz) Low noise figure NF = 1.8dB (typ.) (f = 100 MHz) High forward transfer admittance Yfs = 7 mS (typ.) (f = 1 kHz) Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating

 8.2. Size:92K  sanyo
 2sk2108.pdf pdf_icon

2SK2109

Ordering number ENN4602A N-Channel Silicon MOSFET 2SK2108 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Low ON resistance. unit mm Ultrahigh-speed switching. 2063A Low-voltage drive. [2SK2108] Micaless package facilitating mounting. 4.5 10.0 2.8 3.2 2.4 1.6 1.2 0.7 0.75 1 2 3 1 Gate 2.55 2.55 2 Drain 3 Source 2.55 2.55 SANYO

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK2040, 2SK2051-L, 2SK2051-S, 2SK2053, 2SK2054, 2SK2055, 2SK2070, 2SK2090, SPP20N60C3, 2SK2110, 2SK2111, 2SK2112, 2SK2131, 2SK2132, 2SK2133, 2SK2134, 2SK2135