PMCM6501UPE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMCM6501UPE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.556 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: WLCSP6

Аналог (замена) для PMCM6501UPE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMCM6501UPE даташит

 ..1. Size:378K  nxp
 pmcm6501upe.pdf pdf_icon

PMCM6501UPE

PMCM6501UPE 20 V, P-channel Trench MOSFET 3 July 2017 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a 6 bumps Wafer Level Chip-Size Package (WLCSP) using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Low threshold voltage Ultra small package 0.98 x 1.48 x 0.35 mm Trench MOSFET technology ElectroStatic Discha

 5.1. Size:384K  nxp
 pmcm6501une.pdf pdf_icon

PMCM6501UPE

PMCM6501UNE 20 V, N-channel Trench MOSFET 30 May 2017 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a 6 bumps Wafer Level Chip-Size Package (WLCSP) using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Low threshold voltage Ultra small package 0.98 1.48 0.35 mm Trench MOSFET technology ElectroStatic Disc

 6.1. Size:771K  nxp
 pmcm6501vne.pdf pdf_icon

PMCM6501UPE

PMCM6501VNE 12 V, N-channel Trench MOSFET 26 August 2015 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a 6 bumps Wafer Level Chip-Size Package (WLCSP) using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Low threshold voltage Ultra small package 0.98 1.48 0.35 mm Trench MOSFET technology ElectroStatic D

 6.2. Size:360K  nxp
 pmcm6501vpe.pdf pdf_icon

PMCM6501UPE

PMCM6501VPE 12 V, P-channel Trench MOSFET 10 August 2015 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a 6 bumps Wafer Level Chip-Size Package (WLCSP) using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Low threshold voltage Ultra small package 0.98 1.48 0.35 mm Trench MOSFET technology ElectroStatic D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NX3020NAKW, NX6020CAKS, NX7002AKA, NX7002BKH, PMCM4401UNE, PMCM4401UPE, PMCM4402UPE, PMCM6501UNE, IRFP250, PMCM6501VNE, PMCM650CUNE, PMCM950ENE, PMCXB1000UE, PMCXB900UEL, PMDPB56XNEA, PMDPB95XNE2, PMDXB600UNEL