Справочник MOSFET. PMN230ENE

 

PMN230ENE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMN230ENE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.475 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.222 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6
 

 Аналог (замена) для PMN230ENE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMN230ENE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:274K  nxp
 pmn230ene.pdf pdf_icon

PMN230ENE

PMN230ENE60 V, N-channel Trench MOSFET16 April 2018 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Logic-level compatible Very fast switching ElectroStatic Dischar

 0.1. Size:265K  nxp
 pmn230enea.pdf pdf_icon

PMN230ENE

PMN230ENEA60 V, N-channel Trench MOSFET26 April 2019 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Logic-level compatible Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology

Другие MOSFET... PMF250XNE , PMF63UNE , PMH1200UPE , PMH950UPE , PMN120ENE , PMN120ENEA , PMN16XNE , PMN20ENA , RU6888R , PMN230ENEA , PMN25ENE , PMN25ENEA , PMN280ENEA , PMN28UNE , PMN30ENEA , PMN30UN , PMN30UNE .

History: VBZE30N03 | IPB029N06N3G

 

 
Back to Top

 


 
.