PMN230ENE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMN230ENE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.475 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.222 Ohm

Тип корпуса: TSOP6

Аналог (замена) для PMN230ENE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMN230ENE даташит

 ..1. Size:274K  nxp
 pmn230ene.pdf pdf_icon

PMN230ENE

PMN230ENE 60 V, N-channel Trench MOSFET 16 April 2018 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Logic-level compatible Very fast switching ElectroStatic Dischar

 0.1. Size:265K  nxp
 pmn230enea.pdf pdf_icon

PMN230ENE

PMN230ENEA 60 V, N-channel Trench MOSFET 26 April 2019 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Logic-level compatible Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology

Другие IGBT... PMF250XNE, PMF63UNE, PMH1200UPE, PMH950UPE, PMN120ENE, PMN120ENEA, PMN16XNE, PMN20ENA, AO3400A, PMN230ENEA, PMN25ENE, PMN25ENEA, PMN280ENEA, PMN28UNE, PMN30ENEA, PMN30UN, PMN30UNE