Справочник MOSFET. PMN30UN

 

PMN30UN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMN30UN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.53 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PMN30UN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:749K  nxp
 pmn30un.pdf pdf_icon

PMN30UN

PMN30UN30 V, N-channel Trench MOSFET29 January 2016 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching Enhanced power dissipat

 0.1. Size:726K  nxp
 pmn30une.pdf pdf_icon

PMN30UN

PMN30UNE20 V, N-channel Trench MOSFET29 January 2016 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching Enhanced power dissipa

 9.1. Size:255K  nxp
 pmn30xpe.pdf pdf_icon

PMN30UN

PMN30XPE20 V, P-channel Trench MOSFET16 April 2018 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Very fast switching Trench MOSFET technology ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HB

 9.2. Size:258K  nxp
 pmn30enea.pdf pdf_icon

PMN30UN

PMN30ENEA40 V N-channel Trench MOSFET2 April 2019 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Logic-level compatible Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology Ele

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SSM95T06GS | IPD14N06S2-80 | 2SK3572-Z | SI2312 | SM6024PSF | FDMC7208S | AONR21357

 

 
Back to Top

 


 
.