STP50N06FI MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STP50N06FI
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 27 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 50 nC
Время нарастания (tr): 110 ns
Выходная емкость (Cd): 630 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.056 Ohm
Тип корпуса: ISOWATT220
Аналог (замена) для STP50N06FI
STP50N06FI Datasheet (PDF)
stp50n06l.pdf
STP50N06LSTP50N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP50N06L 60 V
stp50n06-.pdf
STP50N06STP50N06FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTP50N06 60 V
stp50n06.pdf
STP50N06STP50N06FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP50N06 60 V
stp50n06l-fi.pdf
STP50N06LSTP50N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP50N06L 60 V
Другие MOSFET... STP4N90FI , STP4NA60 , STP4NA60FI , STP4NA80 , STP4NA80FI , STP50N05L , STP50N05LFI , STP50N06 , IRF540N , STP50N06L , STP50N06LFI , STP53N05 , STP53N06 , STP55N05L , STP55N05LFI , STP55N06L , STP55N06LFI .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C