Справочник MOSFET. STP50N06FI

 

STP50N06FI Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP50N06FI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 110 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 630 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.056 Ohm
   Тип корпуса: ISOWATT220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STP50N06FI Datasheet (PDF)

 6.1. Size:397K  st
 stp50n06l.pdf pdf_icon

STP50N06FI

STP50N06LSTP50N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP50N06L 60 V

 6.2. Size:201K  st
 stp50n06-.pdf pdf_icon

STP50N06FI

STP50N06STP50N06FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTP50N06 60 V

 6.3. Size:396K  st
 stp50n06.pdf pdf_icon

STP50N06FI

STP50N06STP50N06FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP50N06 60 V

 6.4. Size:404K  st
 stp50n06l-fi.pdf pdf_icon

STP50N06FI

STP50N06LSTP50N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP50N06L 60 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STP4N90FI , STP4NA60 , STP4NA60FI , STP4NA80 , STP4NA80FI , STP50N05L , STP50N05LFI , STP50N06 , IRFZ44 , STP50N06L , STP50N06LFI , STP53N05 , STP53N06 , STP55N05L , STP55N05LFI , STP55N06L , STP55N06LFI .

History: 2SK2157C | DG840 | IRLU3715 | SDF120JDA-D | KNB1906A | FDPF8N50NZU | SI3460DV-T1

 

 
Back to Top

 


 
.