PMPB13UP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMPB13UP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 591 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: SOT1220

Аналог (замена) для PMPB13UP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMPB13UP даташит

 ..1. Size:325K  nxp
 pmpb13up.pdf pdf_icon

PMPB13UP

PMPB13UP 12 V, P-channel Trench MOSFET 4 September 2019 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET technology Side wettable flanks f

 8.1. Size:294K  nxp
 pmpb13xnea.pdf pdf_icon

PMPB13UP

PMPB13XNEA 30 V, N-channel Trench MOSFET 10 September 2018 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET technology Side wettable flank

 8.2. Size:267K  nxp
 pmpb13xne.pdf pdf_icon

PMPB13UP

PMPB13XNE 30 V, single N-channel Trench MOSFET 26 November 2014 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits 1 kV ESD protection Small and leadless ultra thin SMD plastic pack

 9.1. Size:321K  nxp
 pmpb100xpea.pdf pdf_icon

PMPB13UP

PMPB100XPEA 20 V, P-channel Trench MOSFET 13 November 2019 Product data sheet 1. General Description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Extended temperature range Tj = 175 C Small and leadless ultra thin S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PMN70XP, PMPB100ENE, PMPB100XPEA, PMPB10EN, PMPB10UP, PMPB10XNEA, PMPB12UNE, PMPB12UNEA, IRF540N, PMPB13XNEA, PMPB14XP, PMPB15XPA, PMPB16EP, PMPB20XNEA, PMPB20XPEA, PMPB23XNEA, PMPB24EP