PMPB14XP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMPB14XP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 482 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm

Тип корпуса: SOT1220

Аналог (замена) для PMPB14XP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMPB14XP даташит

 ..1. Size:340K  nxp
 pmpb14xp.pdf pdf_icon

PMPB14XP

PMPB14XP 12 V, P-channel Trench MOSFET 3 July 2018 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET technology Side wettable flanks for op

 9.1. Size:321K  nxp
 pmpb100xpea.pdf pdf_icon

PMPB14XP

PMPB100XPEA 20 V, P-channel Trench MOSFET 13 November 2019 Product data sheet 1. General Description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Extended temperature range Tj = 175 C Small and leadless ultra thin S

 9.2. Size:294K  nxp
 pmpb13xnea.pdf pdf_icon

PMPB14XP

PMPB13XNEA 30 V, N-channel Trench MOSFET 10 September 2018 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET technology Side wettable flank

 9.3. Size:290K  nxp
 pmpb12unea.pdf pdf_icon

PMPB14XP

PMPB12UNEA 20 V, N-channel Trench MOSFET 26 March 2018 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET technology Side wettable flanks fo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PMPB100XPEA, PMPB10EN, PMPB10UP, PMPB10XNEA, PMPB12UNE, PMPB12UNEA, PMPB13UP, PMPB13XNEA, 50N06, PMPB15XPA, PMPB16EP, PMPB20XNEA, PMPB20XPEA, PMPB23XNEA, PMPB24EP, PMPB25ENE, PMPB27EPA