Справочник MOSFET. PMPB14XP

 

PMPB14XP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMPB14XP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 482 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm
   Тип корпуса: SOT1220
 

 Аналог (замена) для PMPB14XP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMPB14XP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:340K  nxp
 pmpb14xp.pdf pdf_icon

PMPB14XP

PMPB14XP12 V, P-channel Trench MOSFET3 July 2018 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET technology Side wettable flanks for op

 9.1. Size:321K  nxp
 pmpb100xpea.pdf pdf_icon

PMPB14XP

PMPB100XPEA20 V, P-channel Trench MOSFET13 November 2019 Product data sheet1. General DescriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Extended temperature range Tj = 175 C Small and leadless ultra thin S

 9.2. Size:294K  nxp
 pmpb13xnea.pdf pdf_icon

PMPB14XP

PMPB13XNEA30 V, N-channel Trench MOSFET10 September 2018 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET technology Side wettable flank

 9.3. Size:290K  nxp
 pmpb12unea.pdf pdf_icon

PMPB14XP

PMPB12UNEA20 V, N-channel Trench MOSFET26 March 2018 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium powerDFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET technology Side wettable flanks fo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... PMPB100XPEA , PMPB10EN , PMPB10UP , PMPB10XNEA , PMPB12UNE , PMPB12UNEA , PMPB13UP , PMPB13XNEA , 50N06 , PMPB15XPA , PMPB16EP , PMPB20XNEA , PMPB20XPEA , PMPB23XNEA , PMPB24EP , PMPB25ENE , PMPB27EPA .

History: HUFA75337G3 | TPC60R150C | BRCS065N08SHRA

 

 
Back to Top

 


 
.