Справочник MOSFET. STP50N06L

 

STP50N06L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP50N06L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 42 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 550 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 660 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.056 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для STP50N06L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP50N06L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:397K  st
 stp50n06l.pdf pdf_icon

STP50N06L

STP50N06LSTP50N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP50N06L 60 V

 0.1. Size:404K  st
 stp50n06l-fi.pdf pdf_icon

STP50N06L

STP50N06LSTP50N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP50N06L 60 V

 6.1. Size:201K  st
 stp50n06-.pdf pdf_icon

STP50N06L

STP50N06STP50N06FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTP50N06 60 V

 6.2. Size:396K  st
 stp50n06.pdf pdf_icon

STP50N06L

STP50N06STP50N06FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP50N06 60 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STP4NA60 , STP4NA60FI , STP4NA80 , STP4NA80FI , STP50N05L , STP50N05LFI , STP50N06 , STP50N06FI , IRF1404 , STP50N06LFI , STP53N05 , STP53N06 , STP55N05L , STP55N05LFI , STP55N06L , STP55N06LFI , STP5N25L .

History: BRD640 | 2N7057 | IRFZ14A | IRF820

 

 
Back to Top

 


 
.