PMV30XPEA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PMV30XPEA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.49 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 193 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.034 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PMV30XPEA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMV30XPEA даташит

 ..1. Size:716K  nxp
 pmv30xpea.pdf pdf_icon

PMV30XPEA

PMV30XPEA 20 V, P-channel Trench MOSFET 30 October 2015 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Very fast switching Enhanced power dissipation capability Ptot =

 7.1. Size:280K  nxp
 pmv30xpa.pdf pdf_icon

PMV30XPEA

PMV30XPA 20 V, P-channel Trench MOSFET 28 April 2020 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Low threshold voltage Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology Ve

 8.1. Size:311K  tysemi
 pmv30xn.pdf pdf_icon

PMV30XPEA

Product specification PMV30XN 20 V, 3.2 A N-channel Trench MOSFET Rev. 1 22 June 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Low threshold voltage Trench MOSFET t

 9.1. Size:238K  philips
 pmv30un.pdf pdf_icon

PMV30XPEA

PMV30UN TrenchMOS ultra low level FET Rev. 01 25 June 2003 Product data M3D088 1. Product profile 1.1 Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. Product availability PMV30UN in SOT23. 1.2 Features Surface mount package Fast switching. 1.3 Applications Battery management High-speed switches. 1.4 Qui

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PMV230ENEA, PMV25ENEA, PMV27UPEA, PMV280ENEA, PMV28ENEA, PMV28UNEA, PMV30ENEA, PMV30XPA, 13N50, PMV35EPE, PMV37ENEA, PMV42ENE, PMV450ENEA, PMV48XPA2, PMV52ENEA, PMV55ENEA, PMV60ENEA