Справочник MOSFET. STP5N30

 

STP5N30 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP5N30
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 20 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для STP5N30

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP5N30 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:383K  st
stp5n30.pdfpdf_icon

STP5N30

STP5N30STP5N30FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP5N30 300 V

 0.1. Size:199K  st
stp5n30-.pdfpdf_icon

STP5N30

STP5N30STP5N30FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTP5N30 300 V

 0.2. Size:369K  st
stp5n30l.pdfpdf_icon

STP5N30

STP5N30LSTP5N30LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP5N30L 300 V

 9.1. Size:316K  st
stp5n80.pdfpdf_icon

STP5N30

Другие MOSFET... STP53N05 , STP53N06 , STP55N05L , STP55N05LFI , STP55N06L , STP55N06LFI , STP5N25L , STP5N25LFI , IRFP250N , STP5N30FI , STP5N30L , STP5N30LFI , STP5N50 , STP5N50FI , STP5N60 , STP5N60FI , STP5N80 .

History: IRF840LCPBF

 

 
Back to Top

 


 
.