Справочник MOSFET. STP5N30L

 

STP5N30L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP5N30L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 165 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STP5N30L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:369K  st
stp5n30l.pdfpdf_icon

STP5N30L

STP5N30LSTP5N30LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP5N30L 300 V

 7.1. Size:199K  st
stp5n30-.pdfpdf_icon

STP5N30L

STP5N30STP5N30FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTP5N30 300 V

 7.2. Size:383K  st
stp5n30.pdfpdf_icon

STP5N30L

STP5N30STP5N30FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP5N30 300 V

 9.1. Size:316K  st
stp5n80.pdfpdf_icon

STP5N30L

Другие MOSFET... STP55N05L , STP55N05LFI , STP55N06L , STP55N06LFI , STP5N25L , STP5N25LFI , STP5N30 , STP5N30FI , IRFB4115 , STP5N30LFI , STP5N50 , STP5N50FI , STP5N60 , STP5N60FI , STP5N80 , STP5N80FI , STP5N80XI .

History: WSD6040DN56 | CS4N70FA9R | EFC6602R | HA210N06 | LSG65R380HT | DMT6009LCT | NCE30P40K

 

 
Back to Top

 


 
.