Справочник MOSFET. STP5N60FI

 

STP5N60FI MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STP5N60FI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 46 nC
   trⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: ISOWATT220

 Аналог (замена) для STP5N60FI

 

 

STP5N60FI Datasheet (PDF)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STP5N25LFI , STP5N30 , STP5N30FI , STP5N30L , STP5N30LFI , STP5N50 , STP5N50FI , STP5N60 , K3569 , STP5N80 , STP5N80FI , STP5N80XI , STP5N90 , STP5N90FI , STP5NA50 , STP5NA50FI , STP5NA60 .