NTBG040N120SC1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: NTBG040N120SC1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 139 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.056 Ohm
Тип корпуса: D2PAK-7L
Аналог (замена) для NTBG040N120SC1
NTBG040N120SC1 Datasheet (PDF)
ntbg040n120sc1.pdf

MOSFET SiC Power, SingleN-Channel, D2PAK-7L1200 V, 40 mW, 60 ANTBG040N120SC1Features Typ. RDS(on) = 40 mWwww.onsemi.com Ultra Low Gate Charge (Typ. QG(tot) = 106 nC) Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss = 139 pF)V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX 100% Avalanche Tested TJ = 175C 1200 V 56 mW @ 20 V 60 A This Device is Pb-Free and is RoHS Compliant
ntbg060n090sc1.pdf

MOSFET - SiC Power, SingleN-Channel, D2PAK-7L900 V, 60 mW, 44 ANTBG060N090SC1Features Typ. RDS(on) = 60 mW @ VGS = 15 Vwww.onsemi.com Typ. RDS(on) = 43 mW @ VGS = 18 V Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 88 nC) High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 115 pF)V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX 100% Avalanche Tested900 V 84 mW @ 15 V 44 A TJ = 175C
ntbg020n120sc1.pdf

MOSFET - Power, Silicon Carbide, Single N-Channel, D2PAK7L, 1200 V, 98 A, 20 mOhmNTBG020N120SC1Features Typ. RDS(on) = 20 mWwww.onsemi.com Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 220 nC) High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 258 pF) 100% Avalanche TestedV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX TJ = 175C1200 V 28 mW @ 20 V 98 A RoHS CompliantTypical Applic
Другие MOSFET... NCV8403B , NID9N05BCL , NTB004N10G , NTB095N65S3HF , NTB110N65S3HF , NTB150N65S3HF , NTB190N65S3HF , NTBG020N120SC1 , 8N60 , NTBG060N090SC1 , NTBG160N120SC1 , NTBGS4D1N15MC , NTBGS6D5N15MC , NTBLS001N06C , NTBLS002N08MC , NTBLS0D7N06C , NTBLS1D5N08MC .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
c3998 transistor | 2sa679 | 2sc3181 | 2sb324 | 2sc1904 | 2sc281 | m28s transistor | 2n3640