FCAB21490L1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: FCAB21490L1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.54 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 1500 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00275 Ohm
Тип корпуса: TCSP1530011-N1
Аналог (замена) для FCAB21490L1
FCAB21490L1 Datasheet (PDF)
fcab21490l1.pdf

Doc No. TT4-ZZ-02013 Revision. 1Product StandardsMOS FETFCAB21490L1FCAB21490L1Gate resistor installed Dual N-channel MOS FETUnit: mm For lithium-ion secondary battery protection circuits Features Source-source ON resistance:RSS(on) typ. = 2.2 mVGS = 3.8 V) CSP(Chip Size Package) Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL : Level 1) Ma
fcab2126.pdf

Doc No. TT4-EA-15014Revision. 1Product StandardsMOS FETFCAB21260LFCAB21260LGate resistor installed Dual N-channel MOS FETUnit: mmFor lithium-ion secondary battery protection circuits3.546 5 4 Features Low source-source ON resistance:Rss(on) typ. = 2.0 mWVGS = 4.5 V) CSP(Chip Size Package) 1 2 3 RoHS compliant (EU RoHS / MSL:Level 1 compliant)(R0.125)
fcab21520l1.pdf

Doc No. TT4-ZZ-02014 Revision. 1Product StandardsMOS FETFCAB21520L1FCAB21520L1Gate resistor installed Dual N-channel MOS FETUnit: mm For lithium-ion secondary battery protection circuits Features Source-source ON resistance:RSS(on) typ. = 1.6 mVGS = 3.8 V) CSP(Chip Size Package) Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL : Level 1) Ma
Другие MOSFET... NTHLD040N65S3HF , NTHS5404T1 , NTHS5441 , NTLJS17D0P03P8Z , NTLUD3A260PZ , NTLUS3A40PZ , NTMD6P02R2 , NTMFD016N06C , AO3400 , FCAB21520L1 , MTMC8E2A0LBF , NTMFD020N06C , NTMFD024N06C , NTMFD030N06C , NTMFD4C50N , NTMFD5875NL , NTMFD5C446NL .
History: AP4455GEH-HF | RU1H130R | STW11NB80 | RU20130L | NCE0102E
History: AP4455GEH-HF | RU1H130R | STW11NB80 | RU20130L | NCE0102E



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2sa726 replacement | a1941 datasheet | hrf3205 | c2837 datasheet | 2n414 | c3998 | c4468 datasheet | 2sc2603