NTMFD030N06C. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: NTMFD030N06C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 23 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 1.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 173 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0297 Ohm
Тип корпуса: DFN8-5X6
Аналог (замена) для NTMFD030N06C
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
NTMFD030N06C даташит
ntmfd030n06c.pdf
MOSFET - Power, Dual N-Channel, DUAL SO8FL 60 V, 29.7 mW, 19 A NTMFD030N06C Features www.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 60 V 29.7 mW @ 10 V 19 A Typical
ntmfd024n06c.pdf
MOSFET - Power, Dual N-Channel, DUAL SO8-FL 60 V, 22.6 mW, 24 A NTMFD024N06C Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design www.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 60 V 22.6 mW @ 10 V 24 A Typical
ntmfd020n06c.pdf
MOSFET - Power, Dual N-Channel, DUAL SO8FL 60 V, 20.3 mW, 27 A NTMFD020N06C Features www.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 60 V 20.3 mW @ 10 V 27 A Typical
ntmfd016n06c.pdf
MOSFET - Power, Dual N-Channel, DUAL SO8FL 60 V, 16.3 mW, 32 A NTMFD016N06C Features www.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 60 V 16.3 mW @ 10 V 32 A Typical A
Другие IGBT... NTLUS3A40PZ, NTMD6P02R2, NTMFD016N06C, FCAB21490L1, FCAB21520L1, MTMC8E2A0LBF, NTMFD020N06C, NTMFD024N06C, SKD502T, NTMFD4C50N, NTMFD5875NL, NTMFD5C446NL, NTMFD5C466N, NTMFD5C466NL, NTMFD5C470NL, NTMFD5C650NL, NTMFD5C674NL
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1 | CRTT067N10N | AP6NA3R2MT | AP65SA145DDT8 | AP4NAR95CMT-A | AP4024GEMT-HF | AP3P050AH | AP3P020H | AP3N9R5YT | AP3N9R5MT
Popular searches
c3998 | c4468 datasheet | 2sc2603 | jcs50n20wt | 2sa1360 | p60nf06 datasheet | 2sc4468 | ru6888r




