NTMFD5C466NL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTMFD5C466NL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 67 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 354 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0074 Ohm

Тип корпуса: DFN8-5X6

Аналог (замена) для NTMFD5C466NL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTMFD5C466NL даташит

 ..1. Size:206K  onsemi
 ntmfd5c466nl.pdf pdf_icon

NTMFD5C466NL

NTMFD5C466NL MOSFET Power, Dual, N-Channel 40 V, 7.4 mW, 52 A Features www.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 7.4 mW @ 10 V 40 V Compliant 52 A 12.6 mW @ 4.5 V

 0.1. Size:206K  1
 ntmfd5c466nlt1g.pdf pdf_icon

NTMFD5C466NL

NTMFD5C466NL MOSFET Power, Dual, N-Channel 40 V, 7.4 mW, 52 A Features www.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 7.4 mW @ 10 V 40 V Compliant 52 A 12.6 mW @ 4.5 V

 3.1. Size:192K  1
 ntmfd5c466nt1g.pdf pdf_icon

NTMFD5C466NL

NTMFD5C466N Power MOSFET 40 V, 8.1 mW, 49 A, Dual N-Channel Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses www.onsemi.com These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted) V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Parameter Symbol Value

 3.2. Size:192K  onsemi
 ntmfd5c466n.pdf pdf_icon

NTMFD5C466NL

NTMFD5C466N Power MOSFET 40 V, 8.1 mW, 49 A, Dual N-Channel Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses www.onsemi.com These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted) V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Parameter Symbol Value

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MTMC8E2A0LBF, NTMFD020N06C, NTMFD024N06C, NTMFD030N06C, NTMFD4C50N, NTMFD5875NL, NTMFD5C446NL, NTMFD5C466N, 5N65, NTMFD5C470NL, NTMFD5C650NL, NTMFD5C674NL, NTMFD5C680NL, NTMFD6H840NL, NTMFD6H846NL, NTMFD6H852NL, NTMFS015N10MCL