NTMFD5C674NL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTMFD5C674NL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 313 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0144 Ohm

Тип корпуса: DFN8-5X6

Аналог (замена) для NTMFD5C674NL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTMFD5C674NL даташит

 ..1. Size:345K  onsemi
 ntmfd5c674nl.pdf pdf_icon

NTMFD5C674NL

NTMFD5C674NL MOSFET Dual, N-Channel 60 V, 14.4 mW, 42 A Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses www.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Compliant 14.4 mW @ 10 V 60 V 42 A MAXIMUM RATINGS (TJ = 2

 0.1. Size:345K  1
 ntmfd5c674nlt1g.pdf pdf_icon

NTMFD5C674NL

NTMFD5C674NL MOSFET Dual, N-Channel 60 V, 14.4 mW, 42 A Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses www.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Compliant 14.4 mW @ 10 V 60 V 42 A MAXIMUM RATINGS (TJ = 2

 6.1. Size:206K  1
 ntmfd5c650nlt1g.pdf pdf_icon

NTMFD5C674NL

NTMFD5C650NL MOSFET Power, Dual, N-Channel 60 V, 4.2 mW, 111 A Features www.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 4.2 mW @ 10 V 60 V Compliant 111 A 5.8 mW @ 4.5 V

 6.2. Size:206K  onsemi
 ntmfd5c650nl.pdf pdf_icon

NTMFD5C674NL

NTMFD5C650NL MOSFET Power, Dual, N-Channel 60 V, 4.2 mW, 111 A Features www.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 4.2 mW @ 10 V 60 V Compliant 111 A 5.8 mW @ 4.5 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NTMFD030N06C, NTMFD4C50N, NTMFD5875NL, NTMFD5C446NL, NTMFD5C466N, NTMFD5C466NL, NTMFD5C470NL, NTMFD5C650NL, AON6380, NTMFD5C680NL, NTMFD6H840NL, NTMFD6H846NL, NTMFD6H852NL, NTMFS015N10MCL, NTMFS016N06C, NTMFS020N06C, NTMFS024N06C