NTMFS4837NH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NTMFS4837NH
Маркировка: 4837NH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 15.9 nC
trⓘ - Время нарастания: 27.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
Тип корпуса: SO-8FL
Аналог (замена) для NTMFS4837NH
NTMFS4837NH Datasheet (PDF)
ntmfs4837nh.pdf
NTMFS4837NHPower MOSFET30 V, 75 A, Single N-Channel, SO-8FLFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses Low RGV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These are Pb-Free Devices*5.0 mW @ 10 V30 V75 AApplications 8.0 mW @ 4.5 V Refer to Application
ntmfs4837nht1g.pdf
NTMFS4837NHPower MOSFET30 V, 75 A, Single N-Channel, SO-8FLFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses Low RGV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These are Pb-Free Devices5.0 mW @ 10 V30 V75 AApplications 8.0 mW @ 4.5 V Refer to Application
ntmfs4837nt1g.pdf
NTMFS4837NPower MOSFET30 V, 74 A, Single N-Channel, SO-8FLFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These are Pb-Free DevicesApplicationsV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Refer to Application Note AND8195/D5.0 mW @ 10 V CPU Power Delivery 3
ntmfs4837n-d.pdf
NTMFS4837NPower MOSFET30 V, 74 A, Single N-Channel, SO-8FLFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These are Pb-Free Devices*ApplicationsV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Refer to Application Note AND8195/D5.0 mW @ 10 V CPU Power Delivery
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918