NTMFS4C020N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTMFS4C020N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 161 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 370 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 68 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 5073 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00067 Ohm

Тип корпуса: SO-8FL

Аналог (замена) для NTMFS4C020N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTMFS4C020N даташит

 ..1. Size:175K  onsemi
 ntmfs4c020n.pdf pdf_icon

NTMFS4C020N

MOSFET Power, Single, N-Channel, Logic Level, SO-8FL 30 V, 0.67 mW, 370 A NTMFS4C020N www.onsemi.com Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses 0.67 mW @ 10 V Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses 30 V 0.78 mW @ 6.5 V 370 A Optimized for 4.5 Gate Drive These Devices

 5.1. Size:173K  onsemi
 ntmfs4c022n.pdf pdf_icon

NTMFS4C020N

MOSFET Power, Single, N-Channel, SO-8FL 30 V, 1.7 mW, 136 A NTMFS4C022N Features www.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 1.7 mW @ 10 V 30 V Compliant 136 A 2.4 mW

 5.2. Size:177K  onsemi
 ntmfs4c029n.pdf pdf_icon

NTMFS4C020N

NTMFS4C029N MOSFET Power, Single, N-Channel, SO-8 FL 30 V, 46 A Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses www.onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 5.88 mW @ 10 V Compliant 30 V 46 A 9.0 mW @ 4.5 V

 5.3. Size:139K  onsemi
 ntmfs4c025n.pdf pdf_icon

NTMFS4C020N

NTMFS4C025N MOSFET Power, Single, N-Channel, SO-8 FL 30 V, 69 A Features www.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 3.41 mW @ 10 V 30 V 69 A Compliant 4.88 mW @ 4.5 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NTMFS3D6N10MCL, NTMFS4833NA, NTMFS4837NH, NTMFS4845N, NTMFS4897NF, NTMFS4899NF, NTMFS4927NC, NTMFS4936NC, STF13NM60N, NTMFS4C022N, NTMFS4C024N, NTMFS4C025N, NTMFS4C027N, NTMFS4C028N, NTMFS4C029N, NTMFS4C032N, NTMFS4C054N