NTMFS4C302N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTMFS4C302N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 230 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2320 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00115 Ohm

Тип корпуса: SO-8FL

Аналог (замена) для NTMFS4C302N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTMFS4C302N даташит

 ..1. Size:133K  onsemi
ntmfs4c302n.pdfpdf_icon

NTMFS4C302N

NTMFS4C302N MOSFET Single, N-Channel, Logic Level, SO-8 FL 30 V, 1.15 mW, 230 A www.onsemi.com Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses 1.15 mW @ 10 V Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses 30 V 230 A 1.7 mW @ 4.5 V These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and a

 6.1. Size:117K  onsemi
ntmfs4c35n.pdfpdf_icon

NTMFS4C302N

NTMFS4C35N Power MOSFET 30 V, 80 A, Single N-Channel, SO-8 FL Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses http //onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Compliant 3.2 mW @ 10 V Applications 30 V 80 A 4.0 mW

 7.1. Size:79K  1
ntmfs4c55n.pdfpdf_icon

NTMFS4C302N

NTMFS4C55N Power MOSFET 30 V, 78 A, Single N-Channel, SO-8 FL Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses www.onsemi.com These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Applications 3.4 mW @ 10 V CPU Power Delive

 7.2. Size:138K  1
ntmfs4c06n.pdfpdf_icon

NTMFS4C302N

NTMFS4C06N MOSFET Power, Single, N-Channel, SO-8 FL 30 V, 69 A Features www.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 4.0 mW @ 10 V Compliant 30 V 69 A 6.0 mW @ 4.5 V A

Другие IGBT... NTMFS4C025N, NTMFS4C027N, NTMFS4C028N, NTMFS4C029N, NTMFS4C032N, NTMFS4C054N, NTMFS4C250N, NTMFS4C290N, IRFZ48N, NTMFS4C59N, NTMFS4H013NF, NTMFS5113PL, NTMFS5C404N, NTMFS5C406N, NTMFS5C406NL, NTMFS5C410N, NTMFS5C426N