NTMFS5H610NL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTMFS5H610NL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: DFN5

Аналог (замена) для NTMFS5H610NL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTMFS5H610NL даташит

 ..1. Size:174K  onsemi
 ntmfs5h610nl.pdf pdf_icon

NTMFS5H610NL

NTMFS5H610NL MOSFET Power, Single, N-Channel 60 V, 10 mW, 44 A Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design www.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant 10 mW @ 10 V 60 V 44 A MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherw

 5.1. Size:173K  onsemi
 ntmfs5h615nl.pdf pdf_icon

NTMFS5H610NL

NTMFS5H615NL MOSFET Power, Single, N-Channel 60 V, 1.8 mW, 185 A Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design www.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX 1.8 mW @ 10 V 60 V MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise

 6.1. Size:207K  onsemi
 ntmfs5h600nl.pdf pdf_icon

NTMFS5H610NL

MOSFET Power, Single, N-Channel 60 V, 1.3 mW, 250 A NTMFS5H600NL Features www.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant 1.3 mW @ 10 V 60 V 250 A MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless ot

 6.2. Size:171K  onsemi
 ntmfs5h630nl.pdf pdf_icon

NTMFS5H610NL

MOSFET Power, Single, N-Channel 60 V, 3.1 mW, 120 A NTMFS5H630NL Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design www.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX 3.1 mW @ 10 V MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NTMFS5C682NL, NTMFS5H400NL, NTMFS5H409NL, NTMFS5H414NL, NTMFS5H419NL, NTMFS5H425NL, NTMFS5H431NL, NTMFS5H600NL, IRFB4227, NTMFS5H615NL, NTMFS5H630NL, NTMFS6D1N08H, NTMFS6H800N, NTMFS6H800NL, NTMFS6H801N, NTMFS6H801NL, NTMFS6H818N