Справочник MOSFET. STP60N05FI

 

STP60N05FI MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STP60N05FI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 68 nC
   trⓘ - Время нарастания: 500 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 950 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: ISOWATT220

 Аналог (замена) для STP60N05FI

 

 

STP60N05FI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:342K  st
stp60n05 stp60n05fi.pdf

STP60N05FI
STP60N05FI

 6.1. Size:77K  st
stp60n05 stp60n06.pdf

STP60N05FI
STP60N05FI

STP60N05-14STP60N06-14N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTP60N05-14 50 V

 6.2. Size:81K  st
stp60n05-14.pdf

STP60N05FI
STP60N05FI

STP60N05-14STP60N06-14N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTP60N05-14 50 V

 6.3. Size:54K  st
stp60n05-14 stp60n06-14.pdf

STP60N05FI
STP60N05FI

STP60N05-14STP60N06-14N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTP60N05-14 50 V

 6.4. Size:354K  st
stp60n05-16 stp60n06-16.pdf

STP60N05FI
STP60N05FI

www.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.com

Другие MOSFET... STP5NA50 , STP5NA50FI , STP5NA60 , STP5NA60FI , STP5NA80 , STP5NA80FI , STP60N05 , STP60N05-16 , RFP50N06 , STP60N06 , STP60N06-16 , STP60N06FI , STP6N25 , STP6N25FI , STP6N50 , STP6N50FI , STP6N60FI .

 

 
Back to Top