NTMTS0D6N04CL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NTMTS0D6N04CL
Маркировка: 0D6N04CL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 245.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 554.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 126 nC
trⓘ - Время нарастания: 111 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 6801 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00042 Ohm
Тип корпуса: POWER88
Аналог (замена) для NTMTS0D6N04CL
NTMTS0D6N04CL Datasheet (PDF)
ntmts0d6n04cl.pdf
NTMTS0D6N04CLPower MOSFET40 V, 0.42 mW, 554.5 A, Single N-ChannelFeatures Small Footprint (8x8 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseswww.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXTypical Applications0.42 mW @ 10 V40 V
ntmts0d6n04c.pdf
NTMTS0D6N04CPower MOSFET40 V, 0.48 mW, 533 A, Single N-ChannelFeatures Small Footprint (8x8 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseswww.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXTypical Applications40 V 0.48 mW @ 10 V 533
ntmts0d7n06c.pdf
MOSFET - Power, SingleN-Channel, DFNW860 V, 0.72 mW, 464 ANTMTS0D7N06CFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (8x8 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant60 V 0.72 mW @ 10 V 464 ATypical A
ntmts0d7n06cl.pdf
MOSFET - Power, SingleN-Channel60 V, 0.68 mW, 477 ANTMTS0D7N06CLFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (8x8 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Power 88 Package, Industry Standard0.68 mW @ 10 V These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are Ro
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918