NTTFS003N04C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTTFS003N04C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 103 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 47 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 830 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm

Тип корпуса: WDFN8

Аналог (замена) для NTTFS003N04C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTTFS003N04C даташит

 ..1. Size:196K  onsemi
 nttfs003n04c.pdf pdf_icon

NTTFS003N04C

NTTFS003N04C MOSFET Power, Single, N-Channel 40 V, 3.5 mW, 103 A Features www.onsemi.com Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX 40 V 3.5 mW @ 10 V 103 A MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherw

 7.1. Size:205K  onsemi
 nttfs004n04c.pdf pdf_icon

NTTFS003N04C

NTTFS004N04C MOSFET Power, Single, N-Channel 40 V, 4.9 mW, 77 A Features www.onsemi.com Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX 40 V 4.9 mW @ 10 V 77 A MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwis

 7.2. Size:193K  onsemi
 nttfs005n04c.pdf pdf_icon

NTTFS003N04C

NTTFS005N04C Power MOSFET 40 V, 5.6 mW, 69 A, Single N-Channel Features Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses www.onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted) Parameter Symbol Val

 7.3. Size:188K  onsemi
 nttfs008n04c.pdf pdf_icon

NTTFS003N04C

NTTFS008N04C Power MOSFET 40 V, 7.1 mW, 48 A, Single N-Channel Features Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses www.onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted) V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Parameter Symbol Val

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NTPF110N65S3HF, NTPF150N65S3HF, NTPF190N65S3HF, NTPF360N80S3Z, NTR3A052PZ, NTR3C21NZ, NTTFS002N04C, NTTFS002N04CL, 4N60, NTTFS004N04C, NTTFS005N04C, NTTFS008N04C, NTTFS010N10MCL, NTTFS015N04C, NTTFS015P03P8Z, NTTFS016N06C, NTTFS020N06C