NTTFS016N06C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NTTFS016N06C
Маркировка: 16NC
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6.9 nC
trⓘ - Время нарастания: 1.7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 319 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0163 Ohm
Тип корпуса: WDFN8
Аналог (замена) для NTTFS016N06C
NTTFS016N06C Datasheet (PDF)
nttfs016n06c.pdf
MOSFET - Power, SingleN-Channel, m8FL60 V, 16.3 mW, 32 ANTTFS016N06CFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant60 V 16.3 mW @ 10 V 32 ATypica
nttfs015p03p8z.pdf
NTTFS015P03P8ZMOSFET Power, Single,P-Channel, m8FL-30 V, 7.5 mW Featureswww.onsemi.com Ultra Low RDS(on) to Improve System Efficiency Advanced Package Technology in 3.3x3.3mm for Space Saving andExcellent Thermal ConductionV(BR)DSS RDS(on) ID These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS7.5 mW @ -10 VCompliant-30 V -47.6 A12 mW @ -4.5 V
nttfs015n04c.pdf
NTTFS015N04CMOSFET Power, Single,N-Channel40 V, 17.3 mW, 27 AFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX40 V 17.3 mW @ 10 V 27 AMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherw
nttfs010n10mcl.pdf
NTTFS010N10MCLMOSFET, N-Channel,Shielded Gate,POWERTRENCH)100 V, 50 A, 10.6 mWwww.onsemi.comGeneral DescriptionThis N-Channel POWETRENCH MOSFET is produced usingELECTRICAL CONNECTIONON Semiconductors advanced POWERTRENCH process thatincorporates Shielded Gate technology. This process has beenSDoptimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
