Справочник MOSFET. STP6N50

 

STP6N50 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STP6N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 55 nC
   trⓘ - Время нарастания: 110 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для STP6N50

 

 

STP6N50 Datasheet (PDF)

Другие MOSFET... STP60N05 , STP60N05-16 , STP60N05FI , STP60N06 , STP60N06-16 , STP60N06FI , STP6N25 , STP6N25FI , STP80NF70 , STP6N50FI , STP6N60FI , STP6NA50 , STP6NA50FI , STP6NA60 , STP6NA60FI , STP6NA80 , STP6NA80FI .