NTTFS5C673NL. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: NTTFS5C673NL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0093 Ohm
Тип корпуса: WDFN8
Аналог (замена) для NTTFS5C673NL
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
NTTFS5C673NL даташит
nttfs5c673nl.pdf
NTTFS5C673NL Power MOSFET 60 V, 9.3 mW, 50 A, Single N-Channel Features Small Footprint (3.3x3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses www.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX 9.3 mW @ 10 V MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C u
nttfs5c670nl.pdf
NTTFS5C670NL Power MOSFET 60 V, 6.5 mW, 70 A, Single N-Channel Features Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses www.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwi
nttfs5c658nl.pdf
NTTFS5C658NL Power MOSFET 60 V, 5.0 mW, 109 A, Single N-Channel Features Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses www.onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX 5.0 mW @ 10 V MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted) 60 V
nttfs5c680nl.pdf
NTTFS5C680NL MOSFET - Power, Single N-Channel 60 V, 26.5 mW, 20 A Features Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design www.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX 26.5 mW @ 10 V MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted) 6
Другие MOSFET... NTTFS5C453NL , NTTFS5C454NL , NTTFS5C460NL , NTTFS5C466NL , NTTFS5C471NL , NTTFS5C478NL , NTTFS5C658NL , NTTFS5C670NL , IRF1405 , NTTFS5C680NL , NTTFS5CS70NL , NTTFS5D1N06HL , NTTFS6H850N , NTTFS6H850NL , NTTFS6H854NL , NTTFS6H860NL , NTTFS6H880NL .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASA60R150E | ASA60R090EFDA | ASA60R090EFD | ASA50R130E | ADW120N080G2 | ADQ120N080G2 | ADG120N080G2 | AS6004 | 2N7002EY | AS2310A | 2N7002KM | 2N7002KH | AON5802 | AOSS62934 | AOSN21319C | AONS66966
Popular searches
кт817г характеристики | 2sc1972 | 2n5088 transistor equivalent | 2n5884 | bc640 | 2sc756 | oc44 transistor datasheet | 2sa1210




