STP6NA50 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STP6NA50
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 110 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.75 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 45 nC
Время нарастания (tr): 80 ns
Выходная емкость (Cd): 140 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.2 Ohm
Тип корпуса: TO220
STP6NA50 Datasheet (PDF)
stp6na60fp.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STP6NA60FPN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTP6NA60FP 600 V
stp6na60-fi.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STP6NA60STP6NA60FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP6NA60 600 V
stp6na60.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STP6NA60STP6NA60FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP6NA60 600 V
stp6na80.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STP6NA80STP6NA80FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP6NA80 800 V
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
![STP6NA50](https://alltransistors.com/images/us.png)
![STP6NA50](https://alltransistors.com/images/es.png)
![STP6NA50](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C