Справочник MOSFET. SI4N60-TF3-T

 

SI4N60-TF3-T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI4N60-TF3-T
   Маркировка: 4N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
   trⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для SI4N60-TF3-T

 

 

SI4N60-TF3-T Datasheet (PDF)

 8.1. Size:217K  1
ssi4n60a ssw4n60a.pdf

SI4N60-TF3-T
SI4N60-TF3-T

 8.2. Size:644K  fairchild semi
ssi4n60b ssi4n60b ssw4n60b.pdf

SI4N60-TF3-T
SI4N60-TF3-T

November 2001SSW4N60B / SSI4N60B600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 4.0A, 600V, RDS(on) = 2.5 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 22 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 14 pF)This advanced technology has been especially tailored to

 8.3. Size:235K  lzg
csi4n60.pdf

SI4N60-TF3-T
SI4N60-TF3-T

BRI4N60(CSI4N60) N-CHANNEL MOSFET/N MOS : DC/DC Purpose: These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters and switch mode power supplies. : ,, Features: Low gate charge, low crss, fast switching. /Absolute maximum ratings(Ta=25

 8.4. Size:851K  samwin
swd4n60da swf4n60da swsi4n60da.pdf

SI4N60-TF3-T
SI4N60-TF3-T

SW4N60DA N-channel Enhanced mode TO-252/TO-220F/TO-251S MOSFET Features TO-252 TO-220F TO-251S BVDSS : 600V ID : 4A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ3.35)@VGS=10V RDS(ON) : 3.35 Low Gate Charge (Typ 9.6nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 100% Avalanche Tested 1 2 2 2 3 3 Application:DC-DC,LED 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Sou

 8.5. Size:916K  samwin
swf4n60d swy4n60d swi4n60d swsi4n60d swmi4n60d swd4n60d.pdf

SI4N60-TF3-T
SI4N60-TF3-T

SW4N60D N-channel Enhancement mode TO-220F/TO-220FT/TO-251/S/M/TO-252 MOSFET Features BVDSS : 600V TO-251S TO-251M TO-252 TO-220F TO-220FT TO-251 ID : 4A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.9) RDS(ON) : 1.9 @VGS=10V Low Gate Charge (Typ 18nC) 1 1 1 2 1 1 2 1 2 2 2 3 Improved dv/dt Capability 2 3 3 2 3 3 3 100% Avalanche T

 8.6. Size:352K  cn szxunrui
si4n60.pdf

SI4N60-TF3-T
SI4N60-TF3-T

N-CHANNEL MOSFET SI4N604 Amps 600Volts4 Amps 600Volts4 Amps 600Volts4 Amps600VoltsN-CHANNEL MOSFETN-CHANNEL MOSFETN-CHANNEL MOSFETN-CHANNEL MOSFET DESCRIPTIONis a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics,The SI4N60such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a highrugged avalanche characteristics. This

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 

Back to Top