STP6NA50FI - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

STP6NA50FI MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: STP6NA50FI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.75 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 45 nC
   Время нарастания (tr): 80 ns
   Выходная емкость (Cd): 140 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.2 Ohm
   Тип корпуса: ISOWATT220

Аналог (замена) для STP6NA50FI