Справочник MOSFET. STP6NA50FI

 

STP6NA50FI MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STP6NA50FI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.75 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 45 nC
   trⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm
   Тип корпуса: ISOWATT220

 Аналог (замена) для STP6NA50FI

 

 

STP6NA50FI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:341K  st
stp6na50 stp6na50fi.pdf

STP6NA50FI
STP6NA50FI

 8.1. Size:96K  st
stp6na60fp.pdf

STP6NA50FI
STP6NA50FI

STP6NA60FPN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTP6NA60FP 600 V

 8.2. Size:384K  st
stp6na60-fi.pdf

STP6NA50FI
STP6NA50FI

STP6NA60STP6NA60FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP6NA60 600 V

 8.3. Size:377K  st
stp6na60.pdf

STP6NA50FI
STP6NA50FI

STP6NA60STP6NA60FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP6NA60 600 V

 8.4. Size:390K  st
stp6na80.pdf

STP6NA50FI
STP6NA50FI

STP6NA80STP6NA80FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP6NA80 800 V

Другие MOSFET... STP60N06-16 , STP60N06FI , STP6N25 , STP6N25FI , STP6N50 , STP6N50FI , STP6N60FI , STP6NA50 , 13N50 , STP6NA60 , STP6NA60FI , STP6NA80 , STP6NA80FI , STP7N20 , STP7N20FI , STP7NA40 , STP7NA40FI .

 

 
Back to Top