STP6NA50FI MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STP6NA50FI
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.75 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 45 nC
trⓘ - Время нарастания: 80 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm
Тип корпуса: ISOWATT220
Аналог (замена) для STP6NA50FI
STP6NA50FI Datasheet (PDF)
stp6na60fp.pdf
STP6NA60FPN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTP6NA60FP 600 V
stp6na60-fi.pdf
STP6NA60STP6NA60FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP6NA60 600 V
stp6na60.pdf
STP6NA60STP6NA60FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP6NA60 600 V
stp6na80.pdf
STP6NA80STP6NA80FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP6NA80 800 V
Другие MOSFET... STP60N06-16 , STP60N06FI , STP6N25 , STP6N25FI , STP6N50 , STP6N50FI , STP6N60FI , STP6NA50 , 13N50 , STP6NA60 , STP6NA60FI , STP6NA80 , STP6NA80FI , STP7N20 , STP7N20FI , STP7NA40 , STP7NA40FI .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918